Actualités : Technologies micro et nano
08 octobre 2019
Etude d’architectures de transistors verticaux en GaN
Cadre et contexte : Le LETI transfère actuellement une technologie de composants de puissance AlGaN/GaN épitaxiés sur substrats Silicium 200mm avec un industriel reconnu dans le domaine du développement de composants de puissance (Silicium, SiC,
). Le sujet de stage vise à préparer la future génération de dispositifs GaN qui seront avec une architecture verticale. […] >>
08 octobre 2019
Micro-Transformateurs Magnétiques sur Silicium
Cadre et contexte : Les transformateurs et inductances haute-fréquence sont des composants essentiels pour les circuits électroniques modernes (communications sans fils, régulateurs et convertisseurs de tension, filtres EMI
). Leur miniaturisation à laide de matériaux magnétiques et leur intégration sur silicium suscitent un grand intérêt chez de nombreux industriels de la micro-électronique. Sappuyant sur de […] >>
08 octobre 2019
Modélisation bi ou tridimensionnelle de résonateurs à ondes acoustiques de volume.
Cadre et contexte : Avec larrivée imminente de la 5e génération de téléphonie mobile (5G), le domaine des filtres radiofréquences est en pleine ébullition. Les technologies classiques, basées sur lutilisation de résonateurs à ondes acoustiques de surface ou de volume doivent grandement évoluer afin de répondre aux besoins des nouvelles normes de télécommunications sans fil. […] >>
08 octobre 2019
investigation of the relationship between morphology and RF properties of polycrystalline Si layers for 5G applications
Context: A significant part of RF Front End Modules is integrated on RFSOI substrates that help preserve signal integrity. Under their buried oxide layer, these substrates feature a high-resistivity polycrystalline Si layer. In commercially available products, this layer is deposited and planarized. Two innovative alternative approaches are being investigated in Leti to fabricate this layer. […] >>
08 octobre 2019
Superhydrophobic surface integration for Die-to-Wafer hybrid bonding by self-assembly.
Context : Die-to-wafer stacking is foreseen by major microelectronic industrials as essential for the success of future memory, photonic devices or high performance computing involved in Artificial Intelligence booming. CEA-Leti demonstrated Die-to-Wafer with hybrid bonding which significantly reduces the electrical interconnection pitch compared to standard bonding techniques. Die alignment time is identified as the main […] >>