Développement d’un procédé intégré de réfecto/transmissométrie temporelle THz à excitaton photoélectrique
Publié le : 14 mai 2020
Sujet de Thèse
Développement d’un procédé intégré de réfecto/transmissométrie temporelle THz à excitaton photoélectrique
Travail de thèse :
L’objectif de ce sujet de thèse est de réunir les compétences complémentaires des deux groupes RFM et PHOTO pour importer le savoir-faire de spectroscopie THz en l’adaptant à la mesure par réflecto-/transmissométrie temporelle (TDR/TDT) sur dispositifs intégrés.
Le travail de thèse devra déboucher sur la mise en place d’un banc d’expérimentation permettant la mesure de dispositifs standards par TDR/TDT jusqu’à 1 THz et sur la réalisation d’un outil logiciel intégrant le traitement du signal adéquat pour extraire soit les propriétés électriques du dispositif sous test soit la permitivité diélectrique du matériau sous test.
La génération et la détection des signaux large bande se fera grâce à des photodétecteurs rapides intégrés aux circuits à caractériser.
Les points innovants associés à ce sujet de thèse sont les suivants :
- Mise en place d’un banc de mesure couplant excitations multiples par laser femtoseconde (banc optique) et mesure de signaux électriques par l’intermédiaire de pointes DC ou RF.
- Développement de dispositifs intégrés innovants intégrant les photodétecteurs rapides et les circuits à caractériser.
- Développement d’un cadre théorique permettant l’extraction des paramètres de diffusion (paramètres S) à partir des mesures temporelles réalisées.
- Conception et réalisation de dispositifs type « Lab on Chip » permettant la mesure de permitivité diélectrique de films minces ou de matériaux disponibles en faible quantité.
- Conception et réalisation de photodétecteurs semiconducteurs sur AsGa (Arseniure de Gallium) puis sur Si (Silicium) permettant d’envisager un transfert de la technologie de mesure mise au point dans le cadre de la thèse aux dispositifs standards de la microélectronique (réalisés sur Si). Etant donné les propriétés optoélectroniques très différentes de ces matériaux, le procédé de mesure devra être entièrement modifié (nouveau design de dispositifs) et le cadre théorique adapté (signaux arbitraires non assimilables à des impulsions idéales).
Profil recherché :
Nous souhaitons recruter un étudiant titulaire d’un diplôme niveau Master ou Ingénieur en électronique ou en physique appliquée ayant un fort intérêt pour la recherche et pour le développement de méthodes expérimentales innovantes.
La maîtrise d’un outil de programmation (Python ou Matlab etc…) et ou d’instrumentation (LabView) est un plus.
Pour postuler merci d’envoyer votre candidature (fichier PDF unique) aux encadrants.
La candidature devra présenter une lettre de motivation comprenant un bref exposé de vos expériences préalables de
stages ou professionnelles, votre CV, une copie des diplômes et des notes du niveau bac+ 3 au niveau master ou ingénieur.
Contacts / Encadrants :
Jean-François ROUX, maître de conférences HDR en optoélectrionique, IMEP-LaHC, 04.79.75.87.55,
jean-francois.roux@univ.smb.fr
Philippe ARTILLA maître de conférences en hyperfréquences, IMEP-LaHC, 04.79.75.88.18,
philippe.artillan@univ.smb.fr
Financement:
Allocation de type contrat doctoral.
Les frais liés à l’expérimentation (fabrication de prototypes, réalisation du banc de mesure…) et les frais de mission et de publication seront en partie pris en charge par le projet ANR STEPforQubits.
Lieu d’exercice de la thèse
Laboratoire IMEP-LAHC
Université Savoie Mont Blanc
73170 Le Bourget du Lac
Le (a) candidat (e) sera intégré (e) au laboratoire IMEP-LaHC Université Savoie Mont Blanc et sera amené(e) à
se déplacer sur diférents sites pour les communicatins internatinales et nationales et pour les expérimentations.
Conditions
Type d’allocation : contrat doctoral.
Montant du salaire brut : environ 1800 euros pendant trois ans.
Date de début : 1er septembre 2020o