Actualités :
01 janvier 2023
Développement de procédés de gravure innovants pour l’intégration de matériaux ferroélectriques dans des mémoires non-volatiles
Aujourd’hui, les mémoires redeviennent une priorité pour deux raisons : la production de données suit une croissance exponentielle. Le stockage et le transfert de données consomment jusqu’à 90 % de l’énergie des systèmes de calcul. Il faut recourir à des mémoires non volatiles, qui conservent l’information quand elles ne sont pas alimentées afin de limiter […] >>
01 janvier 2023
Capteurs résonnants télé-alimentés pour environnements sévères
Les capteurs microsystèmes (MEMS) sont l’interface entre le monde physique et le monde numérique, et ils sont aujourd’hui présents dans la plupart des composants et systèmes. Un défi majeur est le développement de capteurs interrogeables à distance, sans circuit électronique ni batterie, qui permettront d’envisager de nouvelles applications par exemple en environnements sévères (haute température, […] >>
01 janvier 2023
Développement de nanodiélectriques pour l’électronique de puissance
L’électronique de puissance utilisée notamment pour le véhicule électrique requiert la fabrication de composants de plus en plus petits capables de soutenir de forts courants et des tensions de travail élevées. La miniaturisation des ces composants nécessite le développement de nouveaux matériaux diélectriques à fort champ de claquage. Une voie prometteuse consiste à combiner la […] >>
01 janvier 2023
Impact des propriétés mécaniques des couches minces dans la technologie SmartCut.
La technologie SmartCut est aujourd’hui largement utilisé pour la fabrication de substrats innovants comme le SOI (Silicon-on-Insulator). Les phénomènes physiques fondamentaux à la base de ce procédé sont encore intensément étudiés. Notamment, l’étape de fracture, qui permet le transfert d’une très fine couche d’un substrat donneur sur un substrat receveur. Une connaissance approfondie de cette […] >>
01 janvier 2023
Simulation des performances de transistors à effet de champ à base de matériaux 2D
Vu que les performances des transistors approchent de leurs limites physiques, le développement de la technologie des semi-conducteurs avec de nouveaux concepts et matériaux est un axe majeur de la recherche en microélectronique et de l’industrie. Ces dernières années, les MOSFET à base des canaux en dichalcogénures de métaux de transition (TMD) semblent être prometteurs […] >>