Actualités :
01 janvier 2023
Matériaux pérovskites halogénées sans plomb pour le photovoltaïque : synthèse, propriétés structurales et stabilité
Les matériaux pérovskites halogénés à base de plomb sont dotés de propriétés optoélectroniques remarquables qui leur ont permis de s’imposer rapidement dans le domaine des applications photovoltaïques. Toutefois, la présence de plomb sous forme soluble est un frein important à leur déploiement à l’échelle industrielle. L’étain est apparu récemment comme une alternative prometteuse au plomb, […] >>
01 janvier 2023
Etudes de l’anisotropie des gradients de dopage et de composition du ternaire de référence pour la détection infrarouge
Cette thèse concerne le domaine des détecteurs infrarouges CdHgTe utilisés pour les thématiques astrophysiques pour lequel le Laboratoire Infrarouge du CEA-Leti est un des leaders mondiaux. L’étudiant intégrera le laboratoire infrarouge qui comprend la totalité de la filière de réalisation des détecteurs. Il réalisera les échantillons grâce aux moyens d’élaboration technologiques disponibles au sein de […] >>
01 janvier 2023
Comprendre les heterogénéités de réaction dans les batteries Na-ion: de la micro à la nano diffraction synchrotron
Les batteries Na-ion sont compétitives par rapport au Li-ion pour les applications de puissance (charge/décharge rapide), et ont l’intérêt d’être exempt de métaux critiques tels que le Co, Ni ou le Li. Cependant la charge rapide provoque l’apparition d’hétérogénéités de réaction inter/intra particulaire qui provoque une sous-utilisation de l’électrode ou la fracture des particules de […] >>
01 janvier 2023
Textures de spin topologiques non-conventionnelles pour la spintronique
Ce sujet de thèse porte sur l’étude des textures de spin topologiques non-conventionnelles présentes dans des matériaux antiferromagnétiques en couches minces. Dans le domaine de la spintronique, les corrélations de spin ont suscité une attention considérable, facilitant ainsi les progrès en physique fondamentale et le développement de nouvelles applications. Certains effets comme par exemple l’effet […] >>
01 janvier 2023
Compréhension de l’interface GaN/diélectrique via des simulation ab-initio (DFT)
Les dispositifs MOS-HEMT ont attiré beaucoup d’intérêt dans l’état de l’art et plus particulièrement dans les applications compactes et à haute densité de puissance. Grâce à la présence d’un gaz bidimensionnel élevé d’électron (2deg) à l’hétérojonction AlGaN/GaN et à la très prometteuse résistance thermique et mobilité élevée du GaN, ces transistors sont capables de supporter […] >>