Actualités :
19 septembre 2016
Fabrication et caractérisation de source optique III-V épitaxiée sur Silicium
La demande croissante de performances en terme de transmission de données que ce soit pour des liaisons à grande distance ou des interconnexions inter puce ou intra puce est un défi majeur pour les industries de la microélectronique et des télécommunications. Basées sur les transmissions optiques dans la gamme IR, le domaine des télécoms a […] >>
19 septembre 2016
Simulation atomistique pour procédés de gravure plasma avancés : Application à la gravure ONO des produits mémoires Flash
Utilisée dans les étapes de fabrication des produits mémoires flash, la gravure ONO, diélectrique inter polysilicium, consiste à graver un empilement de couches ultrafines avec une précision nanométrique (ex: un oxyde de 36A avec arrêt sur nitrure, puis un nitrure de 42A avec arrêt sur oxyde, et enfin 40A d’une couche de 100A d’oxyde). Le […] >>