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La découverte récente des propriétés ferroélectriques du matériau HfO2 déposé en couches minces génère actuellement un intérêt très fort dans la communauté scientifique. En effet cette découverte ouvre la voie à l’intégration de mémoires non volatiles ultra faible consommation au sein de nœuds technologiques les plus avancés. Très récemment, des résultats très prometteurs ont été […] >>

En microélectronique, l’élaboration de structures SOI (Silicon On Insulator) pour la fabrication de circuits intégrés de nouvelle génération s’appuie souvent sur la technologie de collage par adhérence moléculaire. Cette technique repose sur le collage direct de deux surfaces à l’aide de procédés de traitement de surface à l’échelle nanométrique. Ce collage moléculaire peut être réalisé […] >>

Les simulations de dynamique moléculaire (DM) sont particulièrement adaptées pour étudier les propriétés physiques de matériaux complexes à l’échelle atomique mais nécessitent une description précise de leur surface d’énergie potentielle (SEP). Au cours des dernières années, de nombreux progrès ont été réalisés dans le développement de potentiels interatomiques basés sur de l’apprentissage automatique (ML-IP, machine […] >>

La découverte récente des propriétés ferroélectriques du HfO2 génère un fort intérêt pour de nouvelles applications mémoires. En particulier, les jonctions tunnel ferroélectriques à base de HfO2 (Ferroelectric Tunnel Junctions, FTJ) sont des mémoires résistives dans lesquelles le transport électronique, et donc la conductance du dispositif, est modulée par l’orientation des dipôles ferroélectriques dans la […] >>