Transistor ferroélectric à effet de champ (FeFET) pour stockage multi-niveau et calcul dans la mémoire

La découverte récente des propriétés ferroélectriques du matériau HfO2 déposé en couches minces génère actuellement un intérêt très fort dans la communauté scientifique. En effet cette découverte ouvre la voie à l’intégration de mémoires non volatiles ultra faible consommation au sein de nœuds technologiques les plus avancés. Très récemment, des résultats très prometteurs ont été démontrés par notre groupe sur des mémoires à base de HfO2 ferroélectrique de type FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) intégrées dans le Back-End de circuits CMOS. Néanmoins ces mémoires ne permettent pas de stocker plus d’un bit d’information par cellule.

L’objectif de la thèse sera de développer de nouvelles mémoires ferroélectriques ultra basse consommation permettant de stocker plusieurs bits par cellule, en connectant le condensateur ferroélectrique HfO2 fabriqué en back-end à la grille d’un transistor à effet de champ. Ce dispositif, communément appelé FeMFET (Ferroelectric Metal Field Effect Transistor), permettra d’augmenter la densité d’information stockée, et ouvrira la voie à des approches de type calcul dans la mémoire (In-Memory Computing) pour diminuer la consommation des futurs systèmes électroniques.

Facebook

Twitter