Quand le transistor devient hautement sensible à la lumière

Placez une photodiode sous l’oxyde enterré d’un transistor FDSOI : vous obtiendrez un transistor hautement sensible à la lumière visible, objet de laboratoire du plus haut intérêt que le Leti a présenté à la conférence IEDM 2016. Il peut fonctionner sans connexion électrique entre diode et transistor, par simple couplage capacitif. Ce dispositif possède une dynamique de 7 ordres de grandeur, comparable aux meilleurs imageurs CMOS. De plus, il permet de réaliser des pixels de moins d’un micron carré.

Les chercheurs rappellent qu’il s’agit encore d’un dispositif unitaire. Il doit faire l’objet de multiples études pour modéliser ses effets, le produire à l’échelle de matrices, imaginer ses applications futures. Un programme de travail bien séduisant pour la thésarde qui suit ce projet, inspiré par un brevet déposé en 2011.

Contact : laurent.grenouillet@cea.fr

Facebook

Twitter