Transistor ou diode, le nanofil sait tout faire !

Des chercheurs d’INAC ont réalisé autour d’un unique nanofil de silicium, de diamètre 40 nanomètres, un dispositif utilisable comme transistor à effet de champ, comme diode Schottky ou comme diode p-n selon sa polarisation.
Cette polyvalence s’explique par la configuration du système : le nanofil semi-conducteur est placé entre deux grilles électrostatiques et au contact d’un film de nickel. Il suffit donc de jouer sur les polarisations des deux grilles pour contrôler les interfaces nanofil/nickel et obtenir le mode de fonctionnement souhaité.

Ce dispositif, décidément très versatile, pourrait servir aussi à réaliser une photodiode détectant la lumière à l’échelle nanométrique.

Contact : silvano.defranceschi@cea.fr

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