Transistors : montée en puissance du GaN

Le nitrure de gallium (GaN) est un sérieux concurrent du silicium pour les transistors de puissance, capables de commuter des centaines de volts. Mais il employait jusqu’ici des technologies de fabrication trop coûteuses. Le CEA-Leti s’apprête à lever cet obstacle avec le transistor 650 V normalement ouvert réalisé récemment. Il a été fabriqué sur tranche de 200 mm, avec un matériau GaN/silicium et en technologie compatible CMOS : des choix qui promettent une forte baisse des coûts, conjuguée à la réduction des courants de fuite propre au GaN.
Les travaux ont notamment porté sur la croissance par épitaxie d’un matériau de haute qualité. Dix brevets ont été déposés. L’amélioration du composant se poursuit dans le cadre d’une collaboration avec Renault. Objectif : un transfert industriel d’ici fin 2016.

Contact : marc.plissonnier@cea.fr

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