Un ERC pour démontrer la fabrication des mémoires SOT-MRAM

Une équipe de Spintec a obtenu un ERC Proof of Concept pour démontrer la fabrication d’une mémoire SOT-MRAM développée lors d’un premier ERC. Principale difficulté : cette mémoire est dotée d’une couche libre magnétique au profil inhabituel. Au lieu d’avoir une forme circulaire simple, elle comporte de nombreux angles. Cette géométrie permet de se passer des micro-aimants, normalement nécessaires pour garantir un fonctionnement reproductible. Mais elle a son revers : la SOT-MRAM ne peut plus être fabriquée avec des outils de lithographie UV standard.

Pour franchir l’obstacle, les chercheurs misent sur l’irradiation ionique et travailleront avec Spin Ion, une start-up spécialisée dans cette technique. En ligne de mire, des SOT-MRAM ultra-rapides, compactes et économes en énergie qui pourraient supplanter les SRAM.

Contact : mihai.miron@cea.fr

Facebook

Twitter