Un pas encourageant vers des lasers sans matériaux III-V

Chers et de plus en plus rares, les semiconducteurs III-V ne resteront pas toujours la référence en matériaux lasers. C’est ce qui fait l’intérêt du dispositif publié dans Nature Photonics par des chercheurs du CEA-Leti, avec des équipes françaises et allemandes*. Constitué de semiconducteurs IV-IV, il émet sous pompage optique un rayonnement laser à 2,5 microns jusqu’à une température de 100 K, le tout avec un seuil ultra-bas.

Ce dispositif est réalisé en déposant sur un substrat silicium du germanium, puis du germanium-étain. L’ensemble est encapsulé par du nitrure de silicium sous tension pour créer une contrainte mécanique, et reporté sur des piliers en aluminium pour la dissipation thermique. Il ne s’agit à ce stade que d’une preuve de concept académique. Mais le laser sans matériaux III-V n’est plus une utopie.

* STMicroélectronics, C2N-CNRS, Forschung Zentrum Juelich

Contact : jean-michel.hartmann@cea.fr

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