Un transistor graphène-silicium caractérisé par microRaman

La spectroscopie Raman a déjà fait ses preuves pour caractériser des structures à base de carbone. Son efficacité est maintenant établie sur l’étude d’un transistor MOS hybride graphène-silicium dont le graphène a été élaboré par croissance de carbure de silicium.
Une équipe Leti -INAC – université de Montpellier a cartographié les zones de graphène du dispositif. Elle a ainsi mis en évidence la présence de graphène entre les contacts, estimé le nombre de couches présentes dans chaque zone et déterminé la structure.
Ces travaux ont pour cadre le projet ANR Grafonics. Ils préparent un virage technologique majeur : le graphène est pressenti comme successeur du silicium dans les applications CMOS, ou pourrait lui être associé dans des dispositifs hybrides électro et photostimulables.

Contact : denis.rouchon@cea.fr

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