Une mémoire STT MRAM sub-nanoseconde made in Spintec

Spintec développe une mémoire STT-MRAM dix fois plus rapide que les produits annoncés pour 2016 chez Samsung ou Intel. Sa vitesse d’écriture est inférieure à la nanoseconde, contre 5 à 10 nanosecondes habituellement. La différence tient au processus de déclenchement du pulse d’écriture. Spintec l’accélère grâce à deux polariseurs d’aimantation orthogonale, placés de part et d’autre de la couche de stockage, qui maintiennent en permanence un couple de transfert de spin (STT) non nul.
Cette rapidité exceptionnelle peut ouvrir aux STT-MRAM grenobloises des applications très porteuses, de type mémoire cache SRAM. Les chercheurs continuent à améliorer leur concept en optimisant la forme des points mémoire et en visant l’énergie de commutation la plus faible possible. Ils ont déposé plusieurs brevets.

Contact : bernard.dieny@cea.fr

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