Vers des mémoires RRAM plus denses et moins gourmandes

Une équipe Leti en collaboration avec l’université de Stanford a développé une technologie de mémoires résistives RRAM qui multiplie par 2,5 leur densité de stockage. Là où l’information était codée en mode binaire (haute ou basse résistivité), elle peut désormais avoir cinq valeurs différentes. Ceci grâce à des matériaux et des mécanismes de lecture/écriture qui exploitent des états de résistivité intermédiaires.

Ces mémoires RRAM présentent aussi de faibles niveaux d’énergie d’écriture en comparaison des mémoires flash actuelles, ce qui en fait des systèmes non volatiles performants. Un démonstrateur de réseau de neurones qui utilise cette technologie a été présenté en février à San Francisco. Les deux partenaires ont signé trois publications. Ils espèrent maintenant obtenir 8, voire 16 valeurs par point mémoire.

Contact : elisa.vianello@cea.fr

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